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半导体器件生产过程中，缺陷的存在会不同程度影响产品质量，例如关键位置的金属类夹杂可能会引发器件的短路，清洗溶液不纯净引入的有机、无机析出物可能会导致光刻、离子注入、沉积等环节的失败，进而引发晶圆图形与设计不符等问题。因此，晶圆生产制造过程需要对缺陷进行实时监控，并对大量重复出现的缺陷进行分析溯源，以快速明确夹杂、缺陷的来源，从而控制调整相关工艺，稳定产品质量。
纳克微束还可为有特殊缺陷检测需求的用户提供定制化的算法外包开发服务，包括但不限于传统机器视觉、深度学习型机器视觉等类型的服务。我们提供服务的形式灵活，开发周期可根据用户产品更迭和产能情况及时调整。
纳克微束FE-1050热场发射型扫描电镜，具有在1kV落点电压（减速电场）下1.5nm的极限分辨能力，可以对电子束敏感类材料直接成像，最小化对样品的电子辐照损伤。
FE-1050型电子显微镜具有宽大的主腔室和五轴样品台，最大可进入φ300mm*50mm尺寸的样品，整个系统提供多达27个探测器接口，最大程度为用户观察分析提供便利。
FE-1050型电子显微镜可根据用户使用场景，做高速采集升级改造，改造后的扫描速度可达到常规扫描电镜的50-100倍，更适用于大面积连续扫描成像和缺陷自动分析场景。
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